耐高温制程,无残胶、无胶印,平整性良好;
适用于半导体封装过种中,防止环氧渗透;
SPI-25:①总厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕开力:<12g/in
SPI-25F:①总厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕开力:<7g/in
SPI-25C:①总厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:50~80g/in ④撕开力:<12g/in
耐高温制程,无残胶、无胶印,平整性良好;
适用于半导体封装过种中,防止环氧渗透;
SPI-25:①总厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕开力:<12g/in
SPI-25F:①总厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:80~130g/in ④撕开力:<7g/in
SPI-25C:①总厚度:31~34μm ②基材厚度:25μm ③粘性:50~80g/in ④撕开力:<12g/in